GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）

關(guān)鍵詞：四探針，電阻，方阻

GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，該系統(tǒng)可以*實(shí)現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測(cè)量其他方塊電阻。

二、符合：

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?/span>

3、符合美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)

二、產(chǎn)品應(yīng)用：

1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻

4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量

6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻

三、主要技術(shù)參數(shù)

溫度范圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測(cè)量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測(cè)量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測(cè)量環(huán)境：惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測(cè)量方法：四線電阻法，探針?lè)?br />測(cè)試通道：?jiǎn)瓮ǖ阑蚴请p通道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高溫，抗氧化）
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式：自動(dòng)分析數(shù)據(jù)，可以分類保存，樣品和測(cè)量方案結(jié)合在一起，生成系統(tǒng)所需的實(shí)驗(yàn)方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數(shù)據(jù)傳輸：USB
符合標(biāo)準(zhǔn)：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；

工作濕度：+40 ℃ 時(shí)，相對(duì)濕度高達(dá) 95%（無(wú)冷凝）
設(shè)備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg